GA1210Y682JBCAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色,同时具备高可靠性和出色的热性能。
型号:GA1210Y682JBCAT31G
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-247
Vds(漏源电压):1200V
Rds(on)(导通电阻):68mΩ
Id(连续漏极电流):31A
功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
栅极电荷:100nC
GA1210Y682JBCAT31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力,额定漏源电压为1200V,适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗并提升了高频应用的性能。
4. 强大的电流处理能力,支持高达31A的连续漏极电流。
5. 优秀的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设计需求。
7. 高可靠性,经过严格的质量控制和测试流程,适用于工业级和汽车级应用。
GA1210Y682JBCAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
2. 电机驱动,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 汽车电子系统,例如电动车窗控制器和座椅调节装置。
6. 高压大功率电源管理解决方案。
7. 各种需要高效功率切换的应用场景。
GA1210Y682JBCAT32G, IRFP260N, STP32NF12