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GA1210Y682JBCAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 20:16:47 查看 阅读:5

GA1210Y682JBCAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色,同时具备高可靠性和出色的热性能。

参数

型号:GA1210Y682JBCAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-247
  Vds(漏源电压):1200V
  Rds(on)(导通电阻):68mΩ
  Id(连续漏极电流):31A
  功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷:100nC

特性

GA1210Y682JBCAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高耐压能力,额定漏源电压为1200V,适用于高压应用场景。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗并提升了高频应用的性能。
  4. 强大的电流处理能力,支持高达31A的连续漏极电流。
  5. 优秀的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设计需求。
  7. 高可靠性,经过严格的质量控制和测试流程,适用于工业级和汽车级应用。

应用

GA1210Y682JBCAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
  2. 电机驱动,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统,例如电动车窗控制器和座椅调节装置。
  6. 高压大功率电源管理解决方案。
  7. 各种需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

GA1210Y682JBCAT32G, IRFP260N, STP32NF12

GA1210Y682JBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-