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GA1210Y564KXXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:52:58 查看 阅读:8

GA1210Y564KXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的制造工艺,在高频应用中具有较低的导通电阻和较高的效率。其封装形式为TO-263,适合表面贴装,能够提供出色的散热性能。
  该型号属于沟道增强型MOSFET系列,支持高侧和低侧开关配置,并且具备良好的热稳定性和电气特性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:48A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:170W
  结温范围Tj:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y564KXXAR31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够在大电流应用场景下减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适用于高频DC-DC转换器和开关电源设计。
  3. 支持高达48A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  4. 热稳定性强,能够在极端温度范围内可靠工作。
  5. 内置ESD保护功能,提高芯片的抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备制造流程。

应用

该型号广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 工业控制中的电机驱动电路。
  3. 负载开关和保护电路,如过流保护和短路保护。
  4. 电池管理系统(BMS)中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的直流电机控制和电源切换。
  6. 高效节能的AC-DC适配器设计。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L

GA1210Y564KXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.56 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-