时间：2025/5/26 22:48:27
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GA1210Y564KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该芯片主要应用于大容量数据存储需求的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、记忆卡等。其设计优化了读写速度和数据可靠性，同时支持多种接口协议以适配不同设备的需求。
该型号基于先进的工艺技术制造，具备高密度存储能力和较低的功耗表现，适合消费级和工业级应用。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
通道数：8个CE通道
I/O电压：1.8V
核心电压：3.3V
封装形式：BGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
擦写寿命：3000次
GA1210Y564KBXAT31G 具备以下显著特性：
1. 高存储密度：采用先进的多层单元（MLC）技术，单颗芯片即可提供高达 128GB 的存储容量。
2. 快速传输：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，数据传输速率可达 400 MT/s。
3. 可靠性增强：内置 ECC（错误检查与纠正）引擎，有效提升数据存储的可靠性和使用寿命。
4. 低功耗设计：通过优化电路结构和电源管理策略，降低运行时的功耗水平。
5. 广泛的工作温度范围：能够适应从低温到高温的各种工作环境，满足多样化应用场景的需求。
6. 紧凑型封装：使用 BGA 封装技术，节省 PCB 空间，便于小型化产品设计。
GA1210Y564KBXAT31G 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储组件，提供高速读写和大容量存储功能。
2. USB 闪存盘：用于便携式存储设备中，实现数据的快速传输和安全保存。
3. 记忆卡：如 microSD 卡、SD 卡等，广泛应用于手机、相机和其他移动设备。
4. 工业控制：在需要稳定存储性能的工业环境中，如嵌入式系统或数据记录器。
5. 消费电子产品：包括智能电视、机顶盒、平板电脑等需要本地存储的应用场景。
GA1210Y512KBXAT31G, GA1210Y256KBXAT31G
