GA1210Y563KBJAT31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器模块,主要应用于无线通信系统。该模块集成了先进的射频放大技术和封装工艺,具有高增益、高效率和良好的线性度等特性,适合用于基站、中继器以及其他射频发射设备。
此型号中的每个字母和数字组合表示特定的功能、规格或制造商的内部代码。例如,前缀“GA”通常代表其属于射频放大器系列,而后面的字符则定义了具体的电气参数、封装形式以及工作条件。
类型:射频功率放大器
频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
增益:约 35 dB
输出功率:40 dBm(典型值)
效率:大于 45%(在 Pout = 35 dBm 时)
电源电压:28 V
静态电流:约 450 mA
封装形式:表面贴装 (SMD)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1210Y563KBJAT31G 模块采用了先进的 GaN(氮化镓)半导体技术,提供卓越的射频性能。其高效率使得它非常适合需要长时间运行的设备,并且能够减少散热需求。此外,模块设计紧凑,便于集成到现代小型化无线通信系统中。
模块具备良好的线性度和稳定性,适用于复杂的调制方案,例如 OFDM 和 QAM 等。同时,它支持多载波操作,能够在多个频段上提供一致的性能表现。
内置匹配网络和保护电路进一步增强了产品的可靠性和易用性。这些功能减少了外部元件的需求,简化了系统设计并提高了整体可靠性。
该模块广泛应用于无线通信基础设施,包括蜂窝基站、微波中继站和无线接入点等设备。它还可以用于测试测量仪器、卫星通信系统以及其他需要高功率射频信号放大的场景。
由于其出色的效率和线性度,GA1210Y563KBJAT31G 在 LTE、WCDMA 和 GSM 等主流无线通信标准中表现出色。同时,它的宽带能力使其成为未来 5G 网络部署的理想选择之一。
GA1210Y563KBJBT31G, GA1210Y563KBZCT31G