GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-220,适合大功率应用场景。
型号:GA1210Y563JXCAR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
功耗(PD):180W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
GA1210Y563JXCAR31G具备低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。同时,其高击穿电压使其适用于高压环境下的电路设计。此外,该器件还拥有快速开关特性和较低的输入电容,从而减少了开关损耗。
该芯片采用了优化的内部结构设计,增强了散热能力,能够在高温环境下保持稳定运行。其坚固耐用的设计使其在恶劣的工作条件下依然表现出色。
该芯片广泛应用于开关电源、不间断电源(UPS)、逆变器、工业电机控制、电动汽车充电设备等领域。由于其高电压耐受能力和大电流处理能力,特别适合于需要高效能量转换和严格温控要求的场景。此外,在光伏逆变器和风力发电系统的功率调节单元中也常见其身影。
GA1210Y563JXCAL31G
IRFP260N
FQA14P120E