您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y563JXCAR31G

GA1210Y563JXCAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 18:33:20 查看 阅读:3

GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-220,适合大功率应用场景。

参数

型号:GA1210Y563JXCAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
  功耗(PD):180W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

GA1210Y563JXCAR31G具备低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。同时,其高击穿电压使其适用于高压环境下的电路设计。此外,该器件还拥有快速开关特性和较低的输入电容,从而减少了开关损耗。
  该芯片采用了优化的内部结构设计,增强了散热能力,能够在高温环境下保持稳定运行。其坚固耐用的设计使其在恶劣的工作条件下依然表现出色。

应用

该芯片广泛应用于开关电源、不间断电源(UPS)、逆变器、工业电机控制、电动汽车充电设备等领域。由于其高电压耐受能力和大电流处理能力,特别适合于需要高效能量转换和严格温控要求的场景。此外,在光伏逆变器和风力发电系统的功率调节单元中也常见其身影。

替代型号

GA1210Y563JXCAL31G
  IRFP260N
  FQA14P120E

GA1210Y563JXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-