时间：2025/6/6 18:33:20
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GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-220，适合大功率应用场景。
型号：GA1210Y563JXCAR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
功耗(PD)：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
GA1210Y563JXCAR31G具备低导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，其高击穿电压使其适用于高压环境下的电路设计。此外，该器件还拥有快速开关特性和较低的输入电容，从而减少了开关损耗。
该芯片采用了优化的内部结构设计，增强了散热能力，能够在高温环境下保持稳定运行。其坚固耐用的设计使其在恶劣的工作条件下依然表现出色。
该芯片广泛应用于开关电源、不间断电源(UPS)、逆变器、工业电机控制、电动汽车充电设备等领域。由于其高电压耐受能力和大电流处理能力，特别适合于需要高效能量转换和严格温控要求的场景。此外，在光伏逆变器和风力发电系统的功率调节单元中也常见其身影。
GA1210Y563JXCAL31G
IRFP260N
FQA14P120E
