时间：2025/6/26 11:56:03
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GA1210Y563JXAAT31G 是一款由东芝（Toshiba）制造的高压 MOSFET，采用 N 沟道增强型结构设计。该芯片主要应用于高电压、大功率场景，例如开关电源、逆变器、电机驱动等领域。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为高效电力转换的理想选择。
该型号属于东芝的 Advanced Super Junction MOSFET 系列，具备高耐压、低损耗和快速开关的特点，能够显著提升系统效率并减少发热。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：4 A
导通电阻（RDS(on)）：1.4 Ω（典型值，VGS=10V时）
总功耗（PD）：75 W
结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247-3
输入电容（Ciss）：1890 pF
输出电容（Coss）：45 pF
反向恢复时间（trr）：80 ns
GA1210Y563JXAAT31G 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，最高支持 1200V 的漏源电压，适用于各种高压环境。
2. 低导通电阻，可有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。
3. 快速开关性能，结合较低的输入和输出电容，有助于减少开关损耗。
4. 提供 TO-247-3 大功率封装，具备良好的散热性能，适合长时间运行于高温条件下。
5. 宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 +150°C，确保在极端环境下仍能稳定工作。
6. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件在过载情况下的可靠性。
GA1210Y563JXAAT31G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
3. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 电动车充电站及相关高压电力电子设备。
6. 高频变压器驱动及其他需要高效高压切换的应用场景。
GA12TKP04T, GA12TKP04PA, IRGB14DPB, FGA24N120AMD
