您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y563JBXAR31G

GA1210Y563JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/18 23:28:07 查看 阅读:3

GA1210Y563JBXAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供卓越的增益和线性性能,同时具备良好的效率特性。
  此芯片主要设计用于无线通信设备,例如基站、中继器等,能够有效提升信号传输质量与覆盖范围。

参数

型号:GA1210Y563JBXAR31G
  工作频率范围:2.4GHz 至 2.5GHz
  输出功率:30dBm(典型值)
  增益:18dB(典型值)
  电源电压:5V
  静态电流:300mA(典型值)
  封装形式:QFN-20
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210Y563JBXAR31G 的主要特点是其在高频段表现出色的功率放大能力以及高线性度。它采用了创新的设计结构以减少失真,并优化了热管理性能,确保长时间稳定运行。
  此外,该芯片内置了匹配网络,简化了外部电路设计,降低了整体解决方案的成本和复杂度。
  由于其高效的能量转换率,这款芯片非常适合对功耗敏感的应用场景。同时,其紧凑的封装尺寸也使其成为空间受限设计的理想选择。

应用

该芯片主要用于无线通信系统中的射频功率放大环节,典型应用场景包括:
  1. 无线基站:
   - 提供稳定的信号放大全功能,满足蜂窝网络需求。
  2. 中继站:
   - 增强信号覆盖范围并保证高质量传输。
  3. 工业物联网 (IIoT) 设备:
   - 支持长距离数据传输,适用于远程监控系统。
  4. 军事及航空航天领域:
   - 高可靠性设计使其能够适应苛刻环境下的任务需求。

替代型号

GA1210Y563JAXAR31G
  GA1210Y563JBPAR31G

GA1210Y563JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-