时间：2025/6/11 11:29:30
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GA1210Y563JBAAT31G 是一款由 GaN Systems 公司生产的高性能氮化镓 (GaN) 功率晶体管，基于增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 技术。该器件采用常关型设计，适用于高频、高效能的电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、无线充电系统和电机驱动等。其低导通电阻和快速开关特性能够显著提高效率并减小系统尺寸。
该型号中的具体参数和封装形式表明它适用于高功率密度设计，并具有出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1350pF
反向传输电容：280pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1210Y563JBAAT31G 的主要特性包括：低导通电阻以减少传导损耗；快速开关速度以降低开关损耗；增强型结构确保在零偏压下处于关闭状态，提升系统安全性；支持高达 10MHz 的开关频率；内置 ESD 保护功能以提高可靠性；使用表面贴装封装（如 LFPAK），便于自动化生产和散热管理。
此外，这款 GaN 晶体管还具有较低的寄生电感和更高的能效表现，在高温环境下依然保持稳定性能。
此芯片广泛应用于各种高效率电力电子设备中，典型应用场景包括：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
2. 数据中心服务器电源
3. 工业电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动车车载充电器及牵引逆变器
6. 快速充电适配器和无线充电解决方案
由于其卓越的效能表现，GA1210Y563JBAAT31G 成为众多现代高效能系统的首选组件。
GS66508T
Transphorm TP65H030WS
EPC2029
