GA1210Y562KBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,适用于工业、消费电子以及汽车电子领域中的多种应用环境。
这款芯片通过优化栅极电荷设计,大幅降低了开关损耗,同时具备良好的热稳定性和耐冲击能力,能够适应复杂的工作条件。其封装形式紧凑,便于系统集成,适合对空间有严格要求的设计。
型号:GA1210Y562KBEAR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):65nC
输入电容(Ciss):2000pF
输出电容(Coss):120pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
GA1210Y562KBEAR31G 的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性:
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用场景下的高效运行,减少了能量损耗。
2. 采用先进的封装技术,提供了出色的散热能力和机械强度。
3. 高速开关性能使其非常适合高频DC-DC转换器、逆变器以及其他需要快速切换的应用。
4. 具备短路保护和过温保护功能,增强了系统的安全性和稳定性。
5. 广泛的工作温度范围使它能够在极端气候条件下可靠工作,例如汽车引擎舱或工业控制设备中。
6. 符合RoHS标准,满足环保要求。
GA1210Y562KBEAR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和不间断电源(UPS)。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS) 和DC-DC转换器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类高频功率转换电路,如LLC谐振转换器和PFC升压电路。
GA1210Y562KBEAR31G-A, IRF1405Z, FDP5800