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GA1210Y394MBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:58:16 查看 阅读:12

GA1210Y394MBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等领域。
  其封装形式为表面贴装型,便于自动化生产和安装,同时提供卓越的电气特性和可靠性。

参数

型号:GA1210Y394MBBAR31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
  最大漏源电压:120V
  最大连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263-3L

特性

GA1210Y394MBBAR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻使得功耗更低,从而提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力确保在高频应用中表现出色,降低开关损耗。
  3. 强大的散热性能支持高温环境下的稳定运行,增强器件的可靠性。
  4. 优化的 EMI 性能减少电磁干扰问题。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 内置静电防护功能,提升器件的抗静电能力。

应用

该芯片适用于广泛的工业和消费类电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流管。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 汽车电子中的各类功率控制模块。
  6. 工业设备中的逆变器与变频器。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400

GA1210Y394MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-