GA1210Y393MBEAR31G 是一款高性能的功率晶体管,属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件通常用于需要高效率和快速开关特性的应用中,例如电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
该芯片采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式支持高效的散热性能,并且能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:120A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
输入电容:3800pF
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247-3
GA1210Y393MBEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 高电流承载能力,满足大功率负载需求。
4. 优化的热性能设计,确保长时间稳定运行。
5. 宽工作温度范围,适应各种严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动和控制电路。
2. 高效 DC-DC 转换器及逆变器。
3. 电动车和混合动力汽车中的电力电子系统。
4. 开关模式电源(SMPS)设计。
5. 大功率 LED 照明驱动。
6. 其他需要高电流和高效率的功率转换应用场景。
IRFP2907ZPBF, FDP18N60C, IXFN120N10T2