GA1210Y393JBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力,能够显著提升系统的能效和可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET系列,通过优化设计,使其具备更快的开关速度和更低的损耗特性。此外,它还具有优异的热性能和静电防护能力,适用于要求苛刻的工业和汽车环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):3.9Ω(典型值,Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):85nC
输入电容(Ciss):4500pF
开关时间:开启延迟时间(td(on))=75ns,关断传播时间(td(off))=65ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极高的耐压能力,支持高达1200V的工作电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 超低导通电阻,在高电流应用中减少功耗并提高效率。
3. 快速开关特性,适合高频开关电源及转换器应用。
4. 强大的ESD保护设计,提高了器件的抗静电能力,延长使用寿命。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 优秀的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持可靠性能。
7. 小型封装选项,便于集成到紧凑型电路设计中。
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC转换器,包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电机驱动控制,适用于步进电机、伺服电机和BLDC电机。
4. 太阳能逆变器中的功率调节模块。
5. 电动车及混合动力车的电池管理系统(BMS)。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
7. 高压大电流负载开关及保护电路。
IRFP460, FQP17N120, STW88N120H5