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GA1210Y391JXLAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 18:04:11 查看 阅读:10

GA1210Y391JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于高效率、高频率的应用场景。
  这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,能够显著降低传导损耗并提高系统的整体效率。同时,它还具备出色的热性能和抗浪涌能力,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  电压等级:1200V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:39mΩ
  栅极电荷:150nC
  总电容:1800pF
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210Y391JXLAT31G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,可承受高达1200V的工作电压,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(39mΩ),有助于减少功率损耗,提升系统效率。
  3. 快速开关特性,支持高频工作,适用于开关电源和逆变器等应用。
  4. 出色的热性能,采用优化的封装设计以增强散热效果。
  5. 良好的抗浪涌能力,能够在瞬态条件下保持稳定工作。
  6. 宽工作温度范围,适应各种极端环境条件。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动器
  3. 太阳能逆变器
  4. 工业自动化设备
  5. 电动汽车充电桩
  6. 不间断电源(UPS)系统
  7. LED照明驱动
  其卓越的性能使其成为这些领域的理想选择。

替代型号

IRGB30S120D
  FCH16N120
  CSD19536KCS

GA1210Y391JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-