GA1210Y334JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适合高效率电力电子应用。
型号:GA1210Y334JBXAR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:1200V
最大连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷:85nC
总电容:3200pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1210Y334JBXAR31G 具备以下显著特性:
1. 高耐压能力:支持高达1200V的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:35mΩ的典型导通电阻,降低了导通损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关能力:通过优化的结构设计,减少了开关过程中的能量损失。
4. 强大的散热性能:结合大功率封装,能够有效管理热量积累。
5. 宽工作温度范围:从-55℃到+175℃的工作区间,确保在极端环境下的可靠性。
6. 稳定性好:经过严格测试,能在长时间运行中保持性能稳定。
这款功率MOSFET广泛用于以下领域:
1. 工业设备中的开关电源和变频器。
2. 太阳能逆变器及风力发电系统中的功率转换模块。
3. 电动汽车和混合动力汽车的电机控制器。
4. 高效DC-DC转换器的设计与实现。
5. 各种需要高压大电流切换的电路应用。
6. 不间断电源(UPS)系统的核心元件之一。
GA1210Y334JBXAR31H, IRFP460, FQA19P12E