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GA1210Y334JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:28:06 查看 阅读:5

GA1210Y334JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,适合高效率电力电子应用。

参数

型号:GA1210Y334JBXAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:1200V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):35mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:3200pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y334JBXAR31G 具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力:支持高达1200V的漏源电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻:35mΩ的典型导通电阻,降低了导通损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关能力:通过优化的结构设计,减少了开关过程中的能量损失。
  4. 强大的散热性能:结合大功率封装,能够有效管理热量积累。
  5. 宽工作温度范围:从-55℃到+175℃的工作区间,确保在极端环境下的可靠性。
  6. 稳定性好:经过严格测试,能在长时间运行中保持性能稳定。

应用

这款功率MOSFET广泛用于以下领域:
  1. 工业设备中的开关电源和变频器。
  2. 太阳能逆变器及风力发电系统中的功率转换模块。
  3. 电动汽车和混合动力汽车的电机控制器。
  4. 高效DC-DC转换器的设计与实现。
  5. 各种需要高压大电流切换的电路应用。
  6. 不间断电源(UPS)系统的核心元件之一。

替代型号

GA1210Y334JBXAR31H, IRFP460, FQA19P12E

GA1210Y334JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-