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GA1210Y333MXXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:58:17 查看 阅读:8

GA1210Y333MXXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于各种电源管理场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。该器件支持大电流操作,并具备优异的效率和稳定性。
  该芯片的封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产流程,同时其引脚布局经过优化以减少寄生电感的影响,从而提高整体系统性能。

参数

类型:功率 MOSFET
  工作电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:高速
  封装形式:TO-263
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y333MXXAR31G 的主要特性包括:
  - 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提高效率。
  - 高电流处理能力,支持高达 33A 的连续漏极电流。
  - 快速的开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用场景。
  - 内置 ESD 保护功能,增强器件的鲁棒性。
  - 热性能出色,能够在高温环境下稳定运行。
  - 小型化封装设计,便于 PCB 布局并节省空间。
  - 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  - 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  - 电机驱动与控制
  - 负载开关和保护电路
  - 工业自动化设备中的功率转换模块
  - 汽车电子系统中的电池管理系统 (BMS)
  - 通信基础设施中的电源模块
  - 消费类电子产品中的高效能电源解决方案

替代型号

GA1210Y333MXXBR31G, IRF3205, FDP5800

GA1210Y333MXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-