您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y333KXAAT31G

GA1210Y333KXAAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:57:41 查看 阅读:6

GA1210Y333KXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下提供卓越的效率和可靠性。
  这款器件适用于需要高效能量转换和低损耗的场景,广泛用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。

参数

型号:GA1210Y333KXAAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-263 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):33A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:45W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210Y333KXAAT31G 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,减少系统体积和成本。
  3. 强大的雪崩能力和抗静电能力,提升系统的可靠性和稳定性。
  4. 小型化的封装设计,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。

应用

该芯片的应用领域包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子中的负载开关和电池保护。
  4. 通信设备中的 DC-DC 转换模块。
  5. 消费电子产品中的快速充电解决方案。
  6. LED 驱动电路中的功率调节单元。

替代型号

IRF3710, FDP5820, AO6604

GA1210Y333KXAAT31G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

GA1210Y333KXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-