时间：2025/5/26 13:47:49
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GA1210Y274MXXAT31G 是一款高性能的 GaN（氮化镓）功率晶体管，基于增强型 HEMT 技术。该器件采用先进的封装设计，具有高效率、高开关频率和低导通电阻的特点，适用于各种高频电源转换应用。其工作电压高达 650V，能够满足工业、通信及消费电子领域的严苛要求。
该芯片在设计上优化了热性能和电气特性，使其能够在高功率密度的应用中表现出色。同时，其出色的动态特性和稳健的短路耐受能力，进一步提升了系统可靠性和效率。
最大额定电压：650V
最大导通电阻：40mΩ
连续漏极电流：25A
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：无
结温范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4L
1. 高效的功率转换能力，支持高达 99% 的系统效率。
2. 超低导通电阻（Rds(on)），减少了传导损耗。
3. 快速开关速度，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了器件的抗静电能力。
5. 兼容标准逻辑电平驱动，便于与现有电路集成。
6. 强大的短路耐受能力，确保在异常条件下也能安全运行。
7. 小型化设计，适合紧凑型功率模块。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动汽车充电设备
3. 太阳能逆变器
4. 数据中心电源
5. 工业电机驱动
6. 无线电力传输系统
7. 高频 DC-DC 转换器
GAN063-650WSA
GAN1H100SQA
TP65H035WS
GD065R003KAE
STGG060N060D
IRGBF6548DPBF
