您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y273MXLAR31G

GA1210Y273MXLAR31G 发布时间 时间:2025/5/27 8:49:38 查看 阅读:10

GA1210Y273MXLAR31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的信号增强。该芯片采用了先进的 GaAs(砷化镓)工艺技术,具有高增益、高效率和低失真的特点。其工作频率范围广泛,适用于多种无线通信标准,包括 GSM、CDMA 和 LTE 等。
  此外,该器件内置了匹配网络和偏置电路,能够简化设计并减少外围元件的数量。这使得它在紧凑型设计中具有显著优势,同时保持了卓越的性能。

参数

型号:GA1210Y273MXLAR31G
  工作频率范围:800 MHz 至 2.7 GHz
  输出功率:40 dBm 典型值
  增益:15 dB 典型值
  电源电压:3 V 至 5 V
  静态电流:300 mA 典型值
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y273MXLAR31G 的关键特性如下:
  1. 高输出功率:能够提供高达 40 dBm 的输出功率,满足大多数无线通信应用的需求。
  2. 宽带支持:覆盖从 800 MHz 到 2.7 GHz 的宽频率范围,使其适合多种通信协议。
  3. 内部匹配网络:减少了对外部元件的需求,从而降低了整体解决方案的成本和尺寸。
  4. 高效率:采用高效的功率放大技术,在确保高输出的同时降低了功耗。
  5. 易于集成:内置偏置电路,简化了设计流程,并提高了系统的可靠性和稳定性。
  6. 小型封装:采用 QFN-16 封装形式,适合空间受限的应用场景。

应用

GA1210Y273MXLAR31G 主要应用于以下领域:
  1. 基站设备:用于提升无线基站的信号强度和覆盖范围。
  2. 无线通信模块:适用于各类无线模块的设计,如 GSM、CDMA 和 LTE 模块。
  3. 工业物联网 (IIoT):为需要长距离无线通信的工业设备提供可靠的信号放大。
  4. 移动终端:可用于某些高功率需求的移动设备,如对讲机或专用通信设备。
  5. 卫星通信:支持卫星地面站和其他相关设备的信号放大功能。

替代型号

GA1210Y273MXLAR31F, GA1210Y273MXLAR31H

GA1210Y273MXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-