GA1210Y273MBJAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
该型号中的部分代码表示了封装形式、电气参数及特定的应用需求,适合工业级和消费级电子设备使用。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
开关频率:高达 2MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-3
GA1210Y273MBJAT31G 的核心优势在于其出色的电气特性和可靠性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,如 DC-DC 转换器和 PFC 电路。
3. 强大的散热设计,支持更高的持续电流输出。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在严苛环境下的抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保且兼容多种表面贴装工艺。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 新能源汽车中的逆变器和充电模块。
4. 高效 LED 驱动电路。
5. 各种需要高效能量转换的消费类电子产品,例如笔记本适配器和家用电器。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP15U60A
IXFN80N10T2