您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y273MBJAT31G

GA1210Y273MBJAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:43:36 查看 阅读:8

GA1210Y273MBJAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  该型号中的部分代码表示了封装形式、电气参数及特定的应用需求,适合工业级和消费级电子设备使用。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  开关频率:高达 2MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210Y273MBJAT31G 的核心优势在于其出色的电气特性和可靠性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,如 DC-DC 转换器和 PFC 电路。
  3. 强大的散热设计,支持更高的持续电流输出。
  4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在严苛环境下的抗干扰能力。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保且兼容多种表面贴装工艺。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
  2. 工业电机驱动与控制。
  3. 新能源汽车中的逆变器和充电模块。
  4. 高效 LED 驱动电路。
  5. 各种需要高效能量转换的消费类电子产品,例如笔记本适配器和家用电器。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP15U60A
  IXFN80N10T2

GA1210Y273MBJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-