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GA1210Y273MBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:21:45 查看 阅读:10

GA1210Y273MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统性能。
  此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,适合于需要高效能和高可靠性的电子电路设计。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):27mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

1. 极低的导通电阻,在满负载条件下可以显著减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,有助于提高转换效率并降低电磁干扰 (EMI)。
  3. 高雪崩击穿能量,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 紧凑型封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统 (BMS)
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  6. 通信电源及适配器

替代型号

GA1210Y285MBAAR31G, IRFZ44N, FDP17N10

GA1210Y273MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-