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GA1210Y273KBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:41:26 查看 阅读:5

GA1210Y273KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准,支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和装配。同时,该型号还具备良好的热性能,适合长时间在高温环境下稳定运行。

参数

型号:GA1210Y273KBAAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:12nC
  最大功耗:15W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263

特性

GA1210Y273KBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,能够适应高频应用需求。
  3. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力。
  4. 热稳定性强,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 支持大电流操作,适用于高功率密度设计。
  6. 表面贴装封装,简化了PCB布局和生产流程。
  此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗并提升了整体性能。

应用

GA1210Y273KBAAR31G 可用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. DC-DC转换器及降压/升压电路中的功率开关。
  3. 电机驱动器中的桥式驱动元件。
  4. 工业控制设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的高电流开关。
  6. 其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

GA1210Y272KBAAR31G, IRF540N, FDP5570N

GA1210Y273KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-