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GA1210Y273JBJAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:20:49 查看 阅读:4

GA1210Y273JBJAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于工业和汽车领域中的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够显著提升系统的效率与稳定性。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持快速开关操作,并且在高温环境下依然表现出色。其封装形式为行业标准的表面贴装类型(如 DPAK 或 D2PAK),便于自动化生产和集成到复杂电路中。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:典型值 9ns(开启)/ 15ns(关闭)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用场合。
  3. 快速开关性能,适合高频工作的电路设计。
  4. 强大的热管理能力,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 具备出色的抗雪崩能力和静电防护功能,确保长期使用的稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺生产。

应用

1. 开关电源模块中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动车辆中的电机控制器及电池管理系统。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. LED 照明驱动电路中的功率调节单元。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备的核心组件。
  6. 各种 DC-DC 转换器和升压/降压拓扑结构的关键元件。

替代型号

IRF3205, FDP55N10, STP120NF10L

GA1210Y273JBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-