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GA1210Y273JBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/27 8:48:27 查看 阅读:9

GA1210Y273JBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在优化功耗表现和热管理性能,从而满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:450pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1210Y273JBCAR31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低导通损耗并提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 提供出色的热稳定性和电气性能,适用于严苛的工作环境。
  5. 小型封装选项,便于高密度电路板设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球市场准入要求。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
  2. 电机驱动和逆变器控制。
  3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
  5. DC-DC 转换器以及负载点 (POL) 转换。
  6. LED 照明驱动和光伏逆变器系统。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AO3400

GA1210Y273JBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-