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GA1210Y272MXCAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:19:26 查看 阅读:9

GA1210Y272MXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  此型号中的具体命名规则代表了其封装类型、耐压等级、导通电阻等关键参数,适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种场景。

参数

器件类型:MOSFET
  封装形式:TO-263
  耐压值:1200V
  导通电阻:270mΩ
  最大电流:31A
  栅极电荷:45nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y272MXCAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高电压承受能力,适合用于高压环境下的电路设计。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,支持高频操作。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定运行。
  5. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,增强了产品的可靠性。
  6. 小型化封装,便于在空间受限的应用中使用。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 各类电机驱动器,包括步进电机、直流无刷电机等。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车充电系统。
  5. 消费电子产品中的适配器和充电器设计。
  6. 通信基站的电源管理单元。

替代型号

GA1210Y275MXCAR31G, IRFP460N, STP12NM60

GA1210Y272MXCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-