时间：2025/5/29 13:20:35
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GA1210Y272MBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
该器件封装形式为 TO-263-3（D2PAK），具备出色的散热特性和电气稳定性，适合在大电流和高电压场景下使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：145A
导通电阻：1.2mΩ
总栅极电荷：98nC
输入电容：2400pF
输出电容：1600pF
反向传输电容：380pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
GA1210Y272MBLAR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，能够支持高达 1MHz 的开关频率。
3. 强大的雪崩能力，增强在过载条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
5. 具备出色的热稳定性和电气稳定性，适用于苛刻的工作环境。
6. 大漏极电流承载能力，使其成为高功率应用的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 工业自动化设备
4. 汽车电子系统
5. 高效 DC-DC 转换器
6. UPS 不间断电源
7. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备
IRFP2907ZPBF, FDP17N60C, STW45NM60MD2
