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GA1210Y223MBLAT31G 发布时间 时间:2025/6/9 17:55:01 查看 阅读:35

GA1210Y223MBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景,具备低导通电阻和快速开关速度的特点。
  此型号中的各部分编码分别代表了其封装形式、电气参数、耐压等级以及特殊功能选项等信息。它适用于高效率电力电子转换系统中,能够显著降低传导损耗并提高整体性能。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  电压 - 漏源极(Vds):1200 V
  电流 - 连续漏极(Id):16 A
  功耗(Pd):240 W
  栅极电荷(Qg):85 nC
  输入电容(Ciss):2570 pF
  导通电阻(Rds(on)):0.8 Ω
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210Y223MBLAT31G 的主要特性包括压能力,适合高压工业应用环境。
  2. 极低的导通电阻,有助于减少热损耗并提升效率。
  3. 快速的开关速度,确保在高频工作条件下依然保持高效表现。
  4. 稳定可靠的性能,在极端温度范围(-55°C至+150°C)内仍能正常运行。
  5. 内置ESD保护机制,增强器件抗静电能力,延长使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保设计。

应用

这款MOSFET芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子或工业控制设备中。
  3. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  4. 各种类型的电机驱动电路。
  5. 能量回收装置和光伏并网逆变器。
  6. 其他需要大功率切换和高效能量转换的应用场景。

替代型号

GA1210Y222MBLAT31G, IRFP260N, STW97N120K5

GA1210Y223MBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-