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GA1210Y223JXXAT31G 发布时间 时间:2025/6/29 10:10:26 查看 阅读:8

GA1210Y223JXXAT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片采用先进的 GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高效率和低失真的特点。它广泛应用于基站、微波链路、雷达等高频通信设备中。
  这款芯片内置了匹配网络,能够有效减少外部元件的需求,同时提高系统集成度和可靠性。此外,其卓越的线性度表现使其非常适合用于复杂的数字调制信号处理。

参数

工作频率范围:950 MHz 至 2150 MHz
  输出功率:40 dBm 典型值
  增益:18 dB 典型值
  电源电压:5 V
  静态电流:700 mA 典型值
  效率:50% 最小值
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 高效的射频功率放大性能,适用于多种无线通信标准。
  2. 内置匹配网络,简化外围电路设计并提升整体性能。
  3. 宽带宽支持,覆盖从 950 MHz 到 2150 MHz 的频率范围。
  4. 高线性度,确保在复杂调制模式下的良好信号质量。
  5. 良好的热稳定性,适应各种恶劣的工作环境。
  6. 小尺寸 QFN-32 封装,便于 PCB 布局与焊接。

应用

1. 无线通信基站中的射频功率放大模块。
  2. 微波链路设备中的信号增强组件。
  3. 雷达系统的发射机部分。
  4. 卫星通信终端中的功率放大单元。
  5. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域中的高频设备。
  6. 测试与测量仪器中的高性能射频源。

替代型号

GA1210Y222JXXAT31G
  GA1210Y224JXXAT31G
  GA1210Y225JXXAT31G

GA1210Y223JXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-