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GA1210Y223JBJAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:21:23 查看 阅读:9

GA1210Y223JBJAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提高系统效率并降低功耗。
  该芯片通常以表面贴装形式封装,适合自动化生产,并能在高频工作条件下保持稳定性能。其设计充分考虑了电磁兼容性和可靠性要求,适用于工业、消费电子以及汽车电子等多种场景。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):280W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

1. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 具备良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保证可靠运行。
  4. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 良好的电气隔离特性和耐压能力,确保长时间使用中的安全性。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业设备中的负载切换与保护。
  4. 新能源领域如太阳能逆变器的关键功率转换组件。
  5. 汽车电子中的直流电机驱动及电源管理。
  6. 各类需要大电流、低损耗的电力电子系统。

替代型号

IRF540N
  STP30NF06L
  FDP5500
  AO3400

GA1210Y223JBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-