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GA1210Y223JBCAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:37:31 查看 阅读:4

GA1210Y223JBCAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该型号属于沟道增强型 MOSFET,能够实现快速开关和低导通电阻特性,从而提升效率并降低功耗。
  该芯片采用先进的制造工艺设计,具有较高的耐压能力和电流承载能力,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型:MOSFET
  封装形式:TO-263
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):22mΩ
  栅极电荷(Qg):50nC
  总功耗(Ptot):75W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

GA1210Y223JBCAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在高电流应用场景下能有效减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频开关应用。
  3. 高击穿电压和大电流处理能力,确保其能够在严苛条件下稳定运行。
  4. 封装设计紧凑,便于集成到各种电路板中。
  5. 良好的热稳定性,能在宽温范围内保持性能一致性。
  6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提高系统可靠性。
  这些特性使得 GA1210Y223JBCAR31G 成为众多高压、大电流应用的理想选择。

应用

这款芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的逆变器模块。
  3. 汽车电子系统,例如电动助力转向和制动系统。
  4. 工业控制设备中的信号隔离与放大。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  6. 各种家用电器的电源管理单元。
  由于其出色的电气特性和可靠性,GA1210Y223JBCAR31G 在许多高性能要求的应用中表现出色。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N10, STP10NK60Z

GA1210Y223JBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-