您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y222MBEAT31G

GA1210Y222MBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/9 15:41:01 查看 阅读:6

GA1210Y222MBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率、高频开关电源和电机驱动应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
  这款芯片适用于工业、汽车和消费电子领域中的多种应用场景,例如 DC-DC 转换器、LED 驱动器以及电池管理系统等。通过优化的封装设计和出色的热性能,GA1210Y222MBEAT31G 可以在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210Y222MBEAT31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷 (Qg),有助于提高效率并支持高频操作。
  3. 强大的电流处理能力,支持高达 80A 的连续漏极电流。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),使其非常适合恶劣环境下的应用。
  5. 稳定的电气性能和卓越的热管理能力,确保长时间可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
  3. 新能源汽车的电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
  4. LED 驱动器和照明控制系统。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 电信和网络设备中的高效电源解决方案。

替代型号

GA1210Y222MBEAT31G-A, IRF740, FDP5500

GA1210Y222MBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-