时间：2025/6/17 15:57:04
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GA1210Y184MXJAT31G 是一款高性能的存储芯片，主要用于需要大容量和高可靠性的数据存储场景。该芯片基于先进的闪存技术，具备高速读写性能和较低的功耗特性，广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。
此型号属于特定厂商定制系列，其设计优化了在复杂环境下的稳定性和耐用性，能够适应宽温度范围和高振动条件。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：PCIe NVMe 4.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
数据保留时间：10年
擦写寿命：3000次
GA1210Y184MXJAT31G 具有以下显著特性：
1. 高速传输：支持 PCIe NVMe 4.0 接口协议，提供高达 7GB/s 的顺序读取速度和 6GB/s 的顺序写入速度。
2. 宽温设计：能够在极端环境下保持稳定的性能输出，适用于工业级应用。
3. 数据保护机制：内置 ECC（Error Correction Code）纠错功能和磨损均衡算法，有效延长使用寿命并保障数据完整性。
4. 低功耗架构：采用动态功耗管理技术，减少不必要的能量消耗。
5. 可靠性增强：支持端到端数据路径保护，防止数据传输过程中发生错误。
该芯片适合用于以下领域：
1. 工业计算机和嵌入式系统中的数据存储模块。
2. 高性能固态硬盘 (SSD) 的核心组件。
3. 车载信息娱乐系统及自动驾驶辅助系统的存储单元。
4. 通信基站中的日志记录与配置文件保存。
5. 医疗设备中的关键数据备份与处理。
6. 物联网终端设备的大容量数据缓存解决方案。
GA1210Y184MXJBT31G, GA1210Y184MXJCT31G
