时间：2025/6/4 3:56:31
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GA1210Y184JXXAT31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的沟道型 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 DPAK（TO-263），适合表面贴装技术（SMT），能够提供出色的散热性能。
这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动器以及其他需要高性能开关的电子电路中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4.5mΩ
总栅极电荷：45nC
开关时间：ton=19ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
GA1210Y184JXXAT31G 具有低导通电阻的特点，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。此外，它还具备快速开关能力，使得它可以适应高频操作环境。该器件的高电流承载能力和宽泛的工作温度范围确保了其在严苛条件下也能稳定运行。
此 MOSFET 的封装设计优化了热传递路径，进一步增强了其可靠性。同时，它的短路耐受能力也经过了严格测试，能够在短时间内承受异常情况下的过载而不损坏。
该型号广泛应用于工业控制领域中的开关电源适配器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具的电池管理系统等场合。另外，在汽车电子设备中，例如启动马达控制器或者 LED 灯光调节系统里也可以看到它的身影。
由于 GA1210Y184JXXAT31G 的良好动态响应特性和精确的电流控制功能，它同样非常适合于现代通信基础设施建设中的多相电压调节模块（VRM）解决方案。
GA1210Y184JXXBT31G
