GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于数据存储和处理。该芯片属于 NAND Flash 存储器系列,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等场景。
这款芯片采用了先进的制造工艺,能够在有限的空间内提供大容量的数据存储能力。同时,其稳定性和可靠性使其成为众多应用的理想选择。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle DDR 2.0
电压:1.8V
封装:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保存时间:10年
擦写寿命:3000次
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下显著特性:
1. 高速数据传输:支持 Toggle DDR 2.0 接口,能够实现更快的数据读取和写入速度。
2. 大容量存储:单颗芯片即可提供 128GB 的存储空间,适合需要大容量存储的应用。
3. 低功耗设计:优化的电路设计降低了整体功耗,延长了设备的续航时间。
4. 可靠性高:具备强大的 ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的完整性和可靠性。
5. 广泛的工作温度范围:适应各种恶劣环境,可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑等消费类电子产品中作为存储介质。
2. 工业控制设备中的固态存储解决方案。
3. 嵌入式系统中的数据记录和存储功能。
4. 监控录像设备中的高速数据存储需求。
5. 物联网设备中的本地数据缓存和存储。
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