时间：2025/6/3 11:28:53
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GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，通常用于数据存储和处理。该芯片属于 NAND Flash 存储器系列，具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等场景。
这款芯片采用了先进的制造工艺，能够在有限的空间内提供大容量的数据存储能力。同时，其稳定性和可靠性使其成为众多应用的理想选择。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle DDR 2.0
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保存时间：10年
擦写寿命：3000次
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下显著特性：
1. 高速数据传输：支持 Toggle DDR 2.0 接口，能够实现更快的数据读取和写入速度。
2. 大容量存储：单颗芯片即可提供 128GB 的存储空间，适合需要大容量存储的应用。
3. 低功耗设计：优化的电路设计降低了整体功耗，延长了设备的续航时间。
4. 可靠性高：具备强大的 ECC（错误检查与纠正）功能，确保数据的完整性和可靠性。
5. 广泛的工作温度范围：适应各种恶劣环境，可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑等消费类电子产品中作为存储介质。
2. 工业控制设备中的固态存储解决方案。
3. 嵌入式系统中的数据记录和存储功能。
4. 监控录像设备中的高速数据存储需求。
5. 物联网设备中的本地数据缓存和存储。
GA1210Y184JAXAT31G
GA1210Y184JBQAT31G
GA1210Y184JRXAT31G
