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GA1210Y184JBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:28:53 查看 阅读:8

GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于数据存储和处理。该芯片属于 NAND Flash 存储器系列,具有高密度、低功耗和快速读写速度的特点。适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等场景。
  这款芯片采用了先进的制造工艺,能够在有限的空间内提供大容量的数据存储能力。同时,其稳定性和可靠性使其成为众多应用的理想选择。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle DDR 2.0
  电压:1.8V
  封装:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保存时间:10年
  擦写寿命:3000次

特性

GA1210Y184JBXAT31G 具有以下显著特性:
  1. 高速数据传输:支持 Toggle DDR 2.0 接口,能够实现更快的数据读取和写入速度。
  2. 大容量存储:单颗芯片即可提供 128GB 的存储空间,适合需要大容量存储的应用。
  3. 低功耗设计:优化的电路设计降低了整体功耗,延长了设备的续航时间。
  4. 可靠性高:具备强大的 ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的完整性和可靠性。
  5. 广泛的工作温度范围:适应各种恶劣环境,可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等消费类电子产品中作为存储介质。
  2. 工业控制设备中的固态存储解决方案。
  3. 嵌入式系统中的数据记录和存储功能。
  4. 监控录像设备中的高速数据存储需求。
  5. 物联网设备中的本地数据缓存和存储。

替代型号

GA1210Y184JAXAT31G
  GA1210Y184JBQAT31G
  GA1210Y184JRXAT31G

GA1210Y184JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-