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GA1210Y184JBJAR31G 发布时间 时间:2025/7/3 18:31:33 查看 阅读:7

GA1210Y184JBJAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够显著提升系统的效率与可靠性。
  这款功率 MOSFET 具有 N 沟道增强型结构,适用于广泛的电压和电流范围,支持高频开关操作,并能承受较高的浪涌电流。其封装形式为行业标准的 TO-220,便于散热管理和电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:开启延迟时间 18ns,上升时间 9ns,关断延迟时间 30ns,下降时间 15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 内置 ESD 保护,提高了产品的鲁棒性和抗干扰能力。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠的 TO-220 封装设计,提供优秀的散热性能和机械稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. LED 照明驱动中的高效功率转换组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP55N06

GA1210Y184JBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-