GA1210Y184JBJAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够显著提升系统的效率与可靠性。
这款功率 MOSFET 具有 N 沟道增强型结构,适用于广泛的电压和电流范围,支持高频开关操作,并能承受较高的浪涌电流。其封装形式为行业标准的 TO-220,便于散热管理和电路板布局。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关时间:开启延迟时间 18ns,上升时间 9ns,关断延迟时间 30ns,下降时间 15ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置 ESD 保护,提高了产品的鲁棒性和抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 可靠的 TO-220 封装设计,提供优秀的散热性能和机械稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动中的高效功率转换组件。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP55N06