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GA1210Y183JBEAR31G 发布时间 时间:2025/5/22 14:16:19 查看 阅读:19

GA1210Y183JBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  这款器件采用了先进的半导体制造工艺,确保其在高频率和高电流应用场景下的稳定性和可靠性。此外,它还具备良好的热性能和抗电磁干扰能力,适合工业级和消费级电子设备使用。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装:TO-263
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ
  总功耗(Ptot):25W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y183JBEAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  3. 高击穿电压设计,增强器件的耐压能力。
  4. 内置反向恢复二极管,进一步优化开关性能。
  5. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持正常运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器中的同步整流电路。
  2. 电机控制和驱动电路,如步进电机和直流无刷电机。
  3. LED 照明驱动电路,提供高效且稳定的电流输出。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 汽车电子系统,例如电池管理系统(BMS) 和车载充电器(OBC)。
  6. 各类消费电子产品中的功率管理模块,如笔记本电脑适配器和智能手机快充头。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, STP10NK60Z

GA1210Y183JBEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-