时间：2025/6/26 15:32:06
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GA1210Y182MBEAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高效率开关电源、电机驱动器以及其他需要高频切换和低损耗的应用场景。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子领域，满足多种应用需求。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：160nC
开关时间：开启延迟时间 15ns，关断下降时间 27ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，能够支持高频工作环境，减少电磁干扰（EMI）。
3. 高雪崩能量能力，提供更强的过载保护性能。
4. 良好的热稳定性，适合长时间高温运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 内部集成 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
7. 可靠性经过严格测试，适合各种严苛的工作条件。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和逆变器。
5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
6. 其他需要高效功率管理的场合。
GA1210Y182MBEAT32G
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF12W
