GA1210Y182KBEAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和开关电源等领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件属于N沟道增强型MOSFET,主要特点是其在高压和高频应用中的优异表现。通过优化的封装设计,确保了器件在高功率密度环境下的稳定运行。
型号:GA1210Y182KBEAR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):18A
栅极电荷(Qg):45nC
导通电阻(Rds(on)):0.12Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
GA1210Y182KBEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够在大电流条件下减少功耗,提升系统效率。
2. 高额定漏源极电压,适合用于高压应用场景,例如工业电源和汽车电子。
3. 快速开关能力,支持高频操作,减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性,具备较高的结温耐受能力,保证在恶劣环境下可靠运行。
5. 内置ESD保护电路,增强了抗静电能力,提高了产品使用寿命。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足国际法规要求。
这款功率MOSFET适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
2. 工业电机驱动及变频器中的功率控制部分。
3. 太阳能逆变器中的DC-AC转换电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
5. 各类电池充电管理系统(BMS),提供高效的充放电控制。
6. 高压LED驱动器中的电流调节和开关功能实现。
GA1210Y182KBEAR30G, IRF840, STP18NF65