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GA1210Y182KBEAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:45:49 查看 阅读:13

GA1210Y182KBEAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和开关电源等领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该器件属于N沟道增强型MOSFET,主要特点是其在高压和高频应用中的优异表现。通过优化的封装设计,确保了器件在高功率密度环境下的稳定运行。

参数

型号:GA1210Y182KBEAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):18A
  栅极电荷(Qg):45nC
  导通电阻(Rds(on)):0.12Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y182KBEAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在大电流条件下减少功耗,提升系统效率。
  2. 高额定漏源极电压,适合用于高压应用场景,例如工业电源和汽车电子。
  3. 快速开关能力,支持高频操作,减少了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,具备较高的结温耐受能力,保证在恶劣环境下可靠运行。
  5. 内置ESD保护电路,增强了抗静电能力,提高了产品使用寿命。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足国际法规要求。

应用

这款功率MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换模块。
  2. 工业电机驱动及变频器中的功率控制部分。
  3. 太阳能逆变器中的DC-AC转换电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
  5. 各类电池充电管理系统(BMS),提供高效的充放电控制。
  6. 高压LED驱动器中的电流调节和开关功能实现。

替代型号

GA1210Y182KBEAR30G, IRF840, STP18NF65

GA1210Y182KBEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-