您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y153KBAAR31G

GA1210Y153KBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:27:51 查看 阅读:15

GA1210Y153KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其设计优化了效率和可靠性,适合在高电流和高频应用中使用。

参数

型号:GA1210Y153KBAAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):80nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y153KBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流处理能力,确保在高负载条件下稳定运行。
  4. 良好的热性能,可有效降低工作温度,延长使用寿命。
  5. 可靠性高,适用于严苛的工作条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动系统,如家用电器中的风扇、泵和其他电机控制。
  3. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)以及电机控制器。
  6. 高效功率因数校正(PFC)电路设计。

替代型号

GA1210Y153KBAAR31G-A, IRF840, STP120NF12Z

GA1210Y153KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-