GA1210Y152MBEAT31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器模块,专为无线通信系统中的高频率和大功率应用而设计。该模块采用先进的半导体工艺制造,集成了功率放大器、匹配网络和其他必要组件,能够在高频段提供出色的增益和线性性能。其主要应用于基站、中继器和工业无线通信设备等场合。
该模块的设计注重高效能和低失真特性,同时支持宽范围的工作温度环境,使其非常适合于需要稳定性和可靠性的应用场景。
型号:GA1210Y152MBEAT31G
工作频率:1710 MHz 至 2170 MHz
输出功率:43 dBm(典型值)
增益:16 dB(典型值)
电源电压:28 V
电流消耗:典型值 6 A
效率:大于 50%(典型值)
封装形式:表面贴装技术 (SMT)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1210Y152MBEAT31G 的核心特性包括卓越的射频性能、高功率输出和高效率。它在宽带频率范围内表现出稳定的增益和低噪声系数,从而确保信号的完整性。此外,该模块内置了保护电路以防止过热和过载情况的发生,延长了器件寿命。
其集成化设计简化了射频系统的开发过程,减少了外部元件的需求。模块还具有良好的散热性能,通过优化的热管理设计,即使在极端条件下也能保持较高的可靠性。
在应用方面,这款功率放大器模块非常适合现代无线通信基础设施,例如蜂窝基站、微波链路和专用无线网络。它能够处理复杂的调制方案,如 OFDM 和 QAM,同时保持低互调失真,这使得其成为多载波应用的理想选择。
该模块的主要应用场景包括但不限于:
1. 无线通信基站,特别是 LTE 和 5G 前传/回传系统。
2. 微波链路设备,用于长距离点对点数据传输。
3. 军事和航空航天领域的高可靠性通信设备。
4. 工业自动化和物联网 (IoT) 系统中的远程监控与控制。
5. 移动无线电通信,例如公共安全网络和应急响应系统。
GA1210Y152MBEAT31G 凭借其出色的射频性能和坚固耐用的设计,成为上述领域的重要元器件之一。
GA1210Y152MBEAT31G-HV, GA1210Y152MBEAT31G-LP