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GA1210Y124JBCAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:52:22 查看 阅读:9

GA1210Y124JBCAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度之间取得了良好的平衡,从而提高了整体效率并降低了系统功耗。
  此型号特别针对工业和汽车领域设计,具备较高的可靠性和耐用性,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

类型:功率MOSFET
  封装:TO-263 (DPAK)
  Vds(漏源电压):120V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ
  Id(连续漏极电流):35A
  Qg(栅极电荷):35nC
  fT(特征频率):2.8MHz
  Vgs(th)(阈值电压):2.5V
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y124JBCAT31G具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,减少了传导损耗,适合高效能应用。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,降低开关损耗。
  4. 热稳定性好,能够承受较宽的工作温度范围。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于现代绿色产品设计要求。
  6. 内置静电防护功能,提高抗干扰能力。
  这些特性使该器件非常适合需要高效率和可靠性的应用场景。

应用

GA1210Y124JBCAT31G可应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动电路,用于控制各种类型的电机。
  3. DC-DC转换器,提供高效的电压转换功能。
  4. 电池管理系统(BMS),帮助监测和保护锂电池组。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统,例如引擎控制单元(ECU)或电动车窗驱动器。
  其广泛的适用范围得益于其出色的电气特性和环境适应能力。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, AO6904

GA1210Y124JBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-