您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y123MXXAR31G

GA1210Y123MXXAR31G 发布时间 时间:2025/6/16 13:04:45 查看 阅读:5

GA1210Y123MXXAR31G 是一款高性能、低功耗的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段下提供高增益和高效率的信号放大功能。其典型应用包括蜂窝基站、中继站和其他射频通信设备。
  该芯片具有宽泛的工作频率范围以及优秀的线性度表现,确保了在复杂通信环境中的稳定性和可靠性。

参数

型号:GA1210Y123MXXAR31G
  工作频率:450 MHz - 6000 MHz
  增益:28 dB
  输出功率:43 dBm
  电源电压:5.0 V
  静态电流:400 mA
  效率:45%
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y123MXXAR31G 的主要特点是其卓越的射频性能。它采用了增强型匹配网络设计,以优化增益和平坦度。此外,这款芯片还具备良好的热稳定性,使其能够在恶劣环境下持续工作。内置偏置电路简化了外部元件的设计需求,并提高了系统的整体集成度。
  该器件支持多载波操作模式,同时能够满足严格的ACLR(邻道泄漏比)要求,从而适用于现代数字调制标准。其低噪声系数保证了接收端的灵敏度不受影响。

应用

GA1210Y123MXXAR31G 广泛应用于各种无线通信领域,包括但不限于:
  - 蜂窝基站
  - WiMAX 和 LTE 网络
  - 中继站及微波链路
  - 工业、科学和医疗 (ISM) 频段设备
  - 军用和航空航天通信系统
  由于其高效能和灵活性,该芯片特别适合需要长距离传输且对能耗敏感的应用场景。

替代型号

GA1210Y123MXBAR31G
  GA1210Y123MXXAR32G

GA1210Y123MXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-