GA1210Y102KBEAR31G 是一款高性能的陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC)系列。该型号采用了X7R介质材料,具有出色的温度稳定性和容量稳定性。适用于高频滤波、耦合和去耦等应用场景。其封装形式为chip,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
该型号在设计上注重高可靠性和低ESR特性,能够有效应对复杂的电磁干扰环境。同时,它具备良好的耐焊性,能够在焊接过程中保持性能稳定。
容量:10uF
额定电压:6.3V
介质材料:X7R
尺寸:1210英寸(3.2mm x 2.5mm)
容差:±10%
工作温度范围:-55℃至+125℃
封装类型:Chip
ESR(典型值):0.05Ω
频率特性:优异的高频性能
GA1210Y102KBEAR31G 具有以下主要特性:
1. 温度稳定性:采用X7R介质,可在宽温范围内保持容量变化率低于±15%。
2. 高可靠性:通过严格的工艺控制和测试流程,确保在严苛环境下长期使用。
3. 小型化设计:1210封装使其适合现代小型化电子设备的需求。
4. 低ESR:提供更高效的能量传输和更快的瞬态响应。
5. 耐焊接冲击:经过特殊处理,能够在回流焊过程中保持结构完整性和电气性能。
此型号电容器适用于以下场景:
1. 消费类电子产品中的电源滤波和去耦,如智能手机和平板电脑。
2. 工业控制设备中的信号调理电路。
3. 通信设备中的射频模块和数据转换电路。
4. LED驱动器中的平滑和滤波电路。
5. 医疗设备中的精密测量电路。
由于其稳定的性能和小型化设计,GA1210Y102KBEAR31G 成为众多应用的理想选择。
GA1210Y102KBEAR32G
GA1210Y102KBEAR33G
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