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GA1210H823JBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 8:57:16 查看 阅读:10

GA1210H823JBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高效率并降低功耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=12ns, toff=25ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

GA1210H823JBAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 采用沟槽式结构设计,有效降低了导通电阻,提高了效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用环境。
  3. 超低的栅极电荷,减少了驱动损耗。
  4. 支持高温工作,具备出色的热稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  6. 封装小巧,便于集成到紧凑型设计中。
  7. 内置ESD保护功能,增强了器件的可靠性。

应用

这款芯片适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关。
  5. LED驱动器中的功率管理。
  6. 各种便携式设备的电池管理系统(BMS)。
  由于其高效的特性和宽广的工作温度范围,该芯片在高可靠性和高效率要求的应用中表现尤为突出。

替代型号

IRF3205
  FDP5800
  AON6710

GA1210H823JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-