时间：2025/5/30 15:22:54
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GA1210H563KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的设备中，例如固态硬盘 (SSD)、USB 闪存盘和嵌入式存储解决方案。
该型号采用先进的制程工艺制造，具有高可靠性和低功耗的特点。其设计优化了读写速度和耐用性，适用于消费级和工业级应用。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
数据保留时间：大于10年
擦写寿命：3000次
读取速度：最高400MB/s
写入速度：最高200MB/s
GA1210H563KBXAT31G 具备以下关键特性：
1. 高性能：采用 Toggle Mode 2.0 接口，显著提升数据传输速率。
2. 大容量：单颗芯片提供高达 128GB 的存储空间。
3. 低功耗：在待机和工作模式下均保持较低的能耗水平。
4. 可靠性：经过严格测试，确保在多种环境条件下稳定运行。
5. 兼容性强：支持主流的控制器方案，便于集成到各种系统中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘 (SSD)
2. USB 闪存盘
3. 嵌入式存储设备
4. 工业控制设备
5. 消费类电子产品的数据存储模块
GA1210H563KBXAT31G 凭借其大容量、高速度和高可靠性，成为众多存储解决方案的理想选择。
GA1210H512KBXAT31G, GA1210H256KBXAT31G
