您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210H393MBAAR31G

GA1210H393MBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 19:55:13 查看 阅读:26

GA1210H393MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的整体效率并降低能耗。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计优化了在高频工作条件下的表现,同时具有良好的热稳定性和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  输入电容:2800pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

GA1210H393MBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够在大电流条件下有效减少功耗。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合于开关电源、DC-DC 转换器等应用。
  3. 高电流承载能力,使其适用于高功率场景,例如电机驱动和逆变器。
  4. 具备出色的热性能,有助于提升系统的长期稳定性。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力,提高了使用中的安全性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场应用。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
  2. 工业电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节单元。
  5. 各种需要高效功率切换的消费类电子产品,如家用电器和计算机外设。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF12
  FDP5512

GA1210H393MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-