时间：2025/5/26 15:06:40
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GA1210H224KBXAT31G是一款高性能的存储芯片，属于GA系列，主要应用于大容量数据存储需求的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备高密度、低功耗和稳定可靠的特点，广泛用于企业级服务器、数据中心以及高端消费类电子产品中。
这款芯片的设计注重效率与性能的平衡，在数据读写速度和存储寿命方面表现出色，同时支持多种纠错机制以确保数据完整性。
类型：NAND Flash
容量：1TB
接口：PCIe Gen4x4
封装：BGA
工作电压：1.8V
数据传输速率：5000 MB/s（读取）
顺序写入速度：4000 MB/s
随机读取IOPS：750K
随机写入IOPS：650K
擦写次数：3000次
工作温度：0°C至+70°C
存储温度：-40°C至+85°C
GA1210H224KBXAT31G采用了三层存储单元（TLC）技术，大幅提升了单位面积内的存储密度，从而实现大容量存储的同时保持较小的体积。
其内置的LDPC（低密度奇偶校验码）纠错技术能够有效延长闪存的使用寿命，并提供更高的数据可靠性。
此外，该芯片支持主机内存缓冲区（HMB）功能，通过利用主机系统的DRAM来优化SSD的性能表现，特别适合轻量级设备或无外置DRAM设计的应用环境。
在能耗管理方面，该芯片具备动态电源管理功能，可以根据实际负载调整功耗，进一步降低运行成本。
GA1210H224KBXAT31G适用于需要高性能存储解决方案的各种场景，包括但不限于以下领域：
1. 数据中心和云计算平台中的固态硬盘（SSD）
2. 企业级服务器的数据存储系统
3. 高端笔记本电脑和台式机的内部存储
4. 工业自动化控制设备中的嵌入式存储模块
5. 视频监控系统的大容量存储需求
6. 医疗影像设备中的快速数据记录与处理
由于其卓越的性能和可靠性，该芯片也逐渐被应用于人工智能推理加速器和边缘计算设备等新兴领域。
GA1210H224KBXBT31G
GA1210H224KBXCT31G
GA1210H224KBXDT31G
