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GA1210H223JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/9 15:37:28 查看 阅读:30

GA1210H223JBXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点,从而有效提升系统效率并降低功耗。
  该型号属于沟道型MOSFET系列,具有出色的热稳定性和可靠性,能够适应各种复杂的工作环境。同时,其封装设计优化了散热性能,进一步提升了产品的耐用性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压:1200V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:75mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关频率:最高可达100kHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:D2PAK

特性

GA1210H223JBXAR31G的主要特性包括以下几点:
  1. 高额定V的漏源极击穿电压,使其适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为75mΩ,有效减少导通损耗。
  3. 快速开关能力:较低的栅极电荷和输出电容,保证了快速的开关速度,适合高频应用。
  4. 高电流承载能力:最大支持18A的连续漏极电流,可满足大功率需求。
  5. 宽工作温度范围:从-55℃到+175℃,确保器件在极端环境下仍能可靠运行。
  6. 良好的热性能:优化的封装设计有助于提高散热效果,延长使用寿命。

应用

该芯片的应用领域非常广泛,主要包括以下几个方面:
  1. 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动:为无刷直流电机(BLDC)或其他类型的电机提供高效的驱动能力。
  3. 太阳能逆变器:作为关键功率器件,实现能量转换和调节功能。
  4. 工业自动化设备:例如伺服
  5. 电动汽车充电系统:用作主电路中的功率开关,参与电压变换过程。
  6. 其他需要高电压、大电流处理能力的电力电子装置。

替代型号

IRFP460, STP12NM60, FGH12N120HD2

GA1210H223JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-