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GA1210H184JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:34:33 查看 阅读:4

GA1210H184JBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的性能表现。
  此型号属于增强型N沟道MOSFET,适合在大电流环境下使用,并且能够显著降低系统功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

GA1210H184JBXAR31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少传导损耗。
  2. 高速开关性能,支持高达1MHz的工作频率。
  3. 超低栅极电荷设计,有助于降低驱动功耗。
  4. 增强的热稳定性,确保高温环境下的可靠运行。
  5. 紧凑型封装,适合高密度电路板布局。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 各类电机驱动控制器,例如步进电机和无刷直流电机。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的逆变器模块。
  5. 高效DC-DC转换器以及同步整流电路。

替代型号

IRF7832, STP10NK60Z, FDP150AN6B

GA1210H184JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-