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GA1210A821JXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/22 14:09:23 查看 阅读:17

GA1210A821JXAAT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要用于无线通信领域中的信号增强。该芯片基于先进的半导体工艺制造,能够提供高增益、高线性度和低失真的性能,广泛应用于基站、中继器和其他射频设备中。
  这款芯片采用了创新的设计理念,在保证高效能的同时还具有较低的功耗,从而在长时间运行时仍能保持稳定的工作状态。

参数

型号:GA1210A821JXAAT31G
  类型:射频功率放大器
  工作频率范围:900 MHz - 2.2 GHz
  增益:21 dB
  输出功率(1 dB 压缩点):40 dBm
  电源电压:12 V
  静态电流:500 mA
  封装形式:QFN 31引脚
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210A821JXAAT31G 的主要特点包括:
  1. 高增益和高线性度,适用于多种射频应用场景。
  2. 在较宽的频率范围内表现出优异的性能稳定性。
  3. 内置保护电路,如过热关断和静电防护功能,提高了器件的可靠性。
  4. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型设备中。
  5. 支持多种调制方式,适应现代通信系统的复杂需求。
  6. 功耗优化设计,降低了整体系统能耗。

应用

GA1210A821JXAAT31G 芯片的主要应用领域包括:
  1. 无线通信基站的射频信号放大。
  2. 移动网络中的中继器和信号增强设备。
  3. 工业物联网中的远程数据传输模块。
  4. 卫星通信地面站的射频前端部分。
  5. 医疗设备中的高精度射频信号处理。
  6. 军事通信中的抗干扰射频放大器组件。

替代型号

GA1210A821JXAAT31F, GA1210A821JXAAT31H

GA1210A821JXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-