时间：2025/6/6 19:29:37
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GA1210A682KBAAT31G 是一款由 Generic 公司生产的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于工业级应用环境。
器件类型：MOSFET
封装类型：TO-247-3
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻：0.068Ω
栅极电荷：150nC
功耗：120W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
GA1210A682KBAAT31G 的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗，从而提高整体效率。此外，其具备较高的漏源电压，可适应更广泛的应用场景，特别是在高压环境中表现出色。
该器件还支持快速开关速度，有助于降低开关损耗，并提升系统稳定性。同时，其良好的热性能确保了在高温条件下仍能保持稳定的运行状态。
此款芯片采用了 TO-247-3 封装，便于散热设计并适合大规模生产需求。此外，它还通过了多项工业标准认证，保证了产品在恶劣环境中的可靠性。
GA1210A682KBAAT31G 广泛应用于各种高电压功率转换场合，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动车辆驱动器以及工业自动化控制等。此外，在 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中也常见到它的身影。
由于其出色的电气特性和坚固的设计，这款芯片特别适合要求高可靠性和高性能的工业及汽车领域应用。
GA1210A682KBACT31G
IRFP260N
FDP16N120
